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Desarrollan en el IPN material para transistores flexibles
 
Periódico La Jornada
Miércoles 18 de enero de 2017, p. 2

El Centro de Nanociencias y Micro y Nanotecnologías (CNMN), del Instituto Politécnico Nacional (IPN), desarrolla dispositivos electrónicos, como capacitores y diodos, con la finalidad de producir a largo plazo transistores flexibles con mejores características que las actuales. La intención es cambiar del material base, que es rígido, por otros no convencionales, como el vidrio y el plástico.

Norberto Hernández Como, líder de la investigación, detalló que al hacer la transición se ofrecen capacidades muy diferentes al silicio y se resolverían, entre otros aspectos, los desperfectos ocasionados por golpes o caídas. El plan a futuro es tener los dispositivos electrónicos en cualquier superficie no rígida, como la ropa, aparatos electrónicos con curvas e incluso automóviles.

Hernández Como ganó el Premio a la Investigación 2016 en la categoría investigación desarrollada por investigadores jóvenes.

Explicó que actualmente los teléfonos y tablets contienen componentes hechos con silicio, como los procesadores, circuitos electrónicos, capacitores y diodos, mientras los sensores de los displays de los aparatos electrónicos están montados en vidrio.

Mantener las propiedades eléctricas, el desafío

El desafío para Norberto Hernández Como es que al utilizar una base plástica y la aleación metálica se mantengan las propiedades eléctricas, mecánicas, químicas, físicas, estructurales y ópticas, ya que los átomos se comportan diferente en cada material.

Los dispositivos electrónicos flexibles son fundamentales, puesto que al interconectarse en un chip se crea un circuito eléctrico; posteriormente se elaboran los transistores, de tal modo que al juntar billones de estas unidades se forma un microprocesador.